| Какой выигрыш в быстродействии получат процессоры с архитектурой ARM
после перехода на осваиваемую Globalfoundries литографическую
технологию с 28 нм нормами, мы узнали ещё в сентябре прошлого года. В
частности, двухъядерные процессоры Cortex-A9 смогут повысить номинальную
частоту с 2.0 до 2.5 ГГц, а их предельная частота может достигать 2.8
ГГц. По предварительным данным, графические решения AMD перейдут на 28
нм техпроцесс не ранее четвёртого квартала этого года, и пока речь идёт только о мобильных продуктах.
Коллеги с японского сайта PC Watch
опубликовали выдержки из выступления представителей Globalfoundries,
посвящённых текущим достижениям компании в освоении очередных ступеней
литографической технологии. Начнём с того, что сотрудники компании
подтвердили сроки появления 32 нм процессоров AMD на рынке - их
производство будет развёрнуто к середине этого года, хотя уже сейчас
тираж инженерных образцов измеряется десятками тысяч экземпляров.
Структура транзисторов с использованием металлического затвора и
материалов с высоким значением диэлектрической константы, отработанная
на Llano, пригодится и при внедрении 28 нм технологии.
По сравнению с 40 нм технологией, при переходе на нормы 28 нм
компании Globalfoundries удалось на 100% увеличить плотность размещения
транзисторов, увеличить на 50% скорость переключения состояния
транзистора, и на столько же снизить необходимые для этого затраты
электроэнергии. Дополнительные оптимизации в структуре транзисторов
позволили отыграть ещё 10-20% площади кристалла.
Globalfoundries осваивает 28 нм технологию в партнёрстве с другими
производителями: ST Micro, IBM и Samsung. По всему миру в рамках
сотрудничества задействованы четыре передовых фабрики. Как уже
сообщалось, процессоры с архитектурой ARM выигрывают по многим
направлениям при переходе на 28 нм технологию.
Ожидается, что образцы 28 нм микросхем Globalfoundries начнёт
отгружать своим клиентам уже в следующем квартале. К концу 2012 года на
своей новейшей американской фабрике Fab 8 компания Globalfoundries
рассчитывает начать внедрение литографии со сверхжёстким
ультрафиолетовым излучением (EUV), до уровня массового производства
технология будет масштабирована к 2014-2015 годам. Без этого дальнейшего
уменьшения размеров транзисторов на полупроводниковых микросхемах будет
добиться проблематично.
Источник
|
