Новый полупроводниковый материалы — молибденит (MoS2) — по
словам швейцарских ученых, позволит существенно снизить
энергопотребление транзисторов и использовать более тонкие нормы
техпроцесса. Об этом свидетельствуют исследования, проводимые в Ecole
Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL).
В отличие от графена, также называемого в числе кандидатов на
роль основы интегральных микросхем будущего, молибденит имеет ширину
запрещенной зоны, характерную для полупроводников.
Молибденит широко распространен и уже используется в
промышленности. Сейчас он находит применение в производстве стали и
сплавов, а также в качестве добавки в смазочные материалы. О возможности
его использования в полупроводниковом производстве заговорили впервые.
Важным достоинством молибденита по сравнению с кремнием является
его двумерная структура, тогда как кремний образует объемные кристаллы.
Она позволяет легко формировать тонкие пленки толщиной 6,5 Å (0,65 нм),
подвижность электронов в которых соответствует подвижности электронов в
слое кремния толщиной 2 нм.
На иллюстрации показан полевой транзистор со сверхмалым
энергопотреблением, в котором канал из молибденита сформирован на
подложке из оксида кремния и отделен от затвора слоем материала с
высокой диэлектрической проницаемостью (оксидом гафния).
Источник
|
