Мы привыкли считать, что переход на использование твёрдотельной памяти,
выпущенной по более "тонкому" техпроцессу, позволяет добиться снижения
себестоимости накопителя, повышения его ёмкости и производительности.
Однако, если прислушаться к жалобам потребителей на форуме сайта OCZ Technology, можно убедиться, что не всегда технический прогресс приносит пользу обывателю.
Как выясняется, накопители OCZ на базе контроллеров SandForce и
твёрдотельной памяти производства Micron недавно начали переход на 25 нм
микросхемы, хотя ранее использовали 34 нм микросхемы. Во-первых,
скорость записи информации на новые микросхемы оказалась искусственным
образом ограничена по инициативе производителя памяти, и некоторые
владельцы новых накопителей OCZ это на себе почувствовали. Во-вторых,
специфика работы функции RAISE и традиционных механизмов резервирования
некоторой части памяти для компенсации износа и сбоев в случае с
контроллерами SandForce выразилась в уменьшении доступного для
пользователя объёма новых накопителей. Сообщается, что основанные на 25
нм памяти накопители пожертвовали на нужды повышения надёжности
дополнительно до 5 Гб пространства.
OCZ пытается успокоить потребителей сообщениями о том, что потери
в объёме компенсируются возросшей надёжностью хранения данных, а
основанные на 25 нм памяти накопители стали дешевле предшественников.
Проблема проявляется в накопителях объёмом не более 128 Гб. По внешним
признакам до момента покупки "старые" и "новые" накопители никак
отличить нельзя, лишь меньшая ёмкость, отображаемая в BIOS материнской
платы, может указать на накопитель новой ревизии. Технически OCZ никак
влиять на ситуацию не может, поскольку она целиком зависит от специфики
компонентов производства SandForce и Micron. Недовольные покупатели
обновлённых накопителей могут обратиться для возврата продукции OCZ по
гарантии.
Источник
|
