Разговоры о создании памяти нового типа, которая могла бы
одновременно заменить динамическую память с произвольным доступом и
флэш-память, идут давно. Такая память должна характеризоваться высоким
быстродействием и быть энергонезависимой. Возможно, основой новой памяти
станет транзистор, прототип которого создали специалисты одного из
университетов США.
Прибор, о котором идет речь, представляет собой полевой транзистор с
двойным плавающим затвором. Подобные транзисторы уже используются во
флэш-памяти, но они имеют один затвор. Дополнительный затвор позволяет
держать данные в активном состоянии и оперативно изменять состояние
ячейки, тогда как основной, состояние которого изменяется с помощью
повышенного напряжения, служит для долговременного хранения информации.
Переключение между оперативным и долговременным хранением
занимает один цикл и не приводит к потере информации. Это позволяет
предположить, например, такой вариант использования новой памяти: когда
компьютер включен, память работает в оперативном режиме, а при
выключении происходит переход к энергонезависимому режиму, так что
система после повторного включения может продолжить работу с того же
самого места, где она была приостановлена.
Источник
|
