Компания Renesas Electronics объявила о доступности семейства
микросхем памяти типа DRAM плотностью 576 Мбит/с с малыми задержками. В
семейство вошли модели μPD48576109, μPD48576118, μPD48576209,
μPD48576218 и μPD48576236. Они предназначены для использования в сетевом
оборудовании.
По мнению аналитиков, в связи с распространением широкополосных
сетей и растущей популярностью «облачных вычислений» передача огромных
объемов данных по сети становится привычной. Это приводит к росту спроса
на сетевое оборудование с повышенной пропускной способностью, в котором
используется быстродействующая память большого объема.
По сравнению с моделями предшествующего семейства плотностью 288
Мбит, новые микросхемы имеют вдвое большую плотность, на 25% увеличенную
скорость произвольного доступа (длительность цикла чтения или записи
сокращена с 20 до 15 нс), на 33% повышенную рабочую частоту (с 400 до
533 МГц) и на 10% меньшее энергопотребление. Снижение энергопотребления
позволяет снизить требования к подсистемам питания и охлаждения. Для
удобства перехода на новую память, разработчики использовали тот же
корпус площадью 11 × 18,5 мм.
Сейчас доступны ознакомительные образцы микросхем нового семейства. Массовые поставки начнутся во второй половине года.
Источник
|
