Корпорация Intel, а также крупнейшие производители оперативной памяти (dynamic random access memory, DRAM) ожидают продолжения быстрой эволюции технологии DDR4 в ближайшие годы. Помимо роста тактовых частот и скорости передачи данных, микросхемы DDR4 увеличат максимальную ёмкость до 16 Гбит уже во второй половине следующего года. Более того, модули памяти ёмкостью 16 Гбайт вскоре подешевеют до значений, приемлемых для массового рынка.
Наиболее критическими улучшениями в эволюции технологий оперативной памяти при переходе от одного поколения к другому являются увеличение пропускной способности и ёмкости микросхем, а также снижение их энергопотребления. Подобные улучшения позволяют поднять производительность вычислительных устройств, а также соответствовать возрастающим потребностям в объёме оперативной памяти со стороны серверов (в первую очередь) и клиентских устройств вроде ПК и смартфонов. При создании стандарта DDR4, разработчики ставили перед собой цель увеличить максимальную скорость передачи данных до 4266 Мтрансферов/с (многие ранние перспективные планы JEDEC указывают на 3200 Мтрансферов/с как максимальную скорость для DDR4, однако позже многие производители заговорили о куда более высокой пропускной способности), а максимальную ёмкость микросхем до 16 Гбит.
К настоящему моменту все крупные производители DRAM освоили выпуск микросхем DDR4 ёмкостью 8 Гбит, а планка в 3200 Мтрансферов/с для массово выпускаемых микросхем была преодолена компанией Samsung ранее в этом году. Поскольку другие производители пока не освоили выпуск чипов DDR4-3200, компания Intel консервативно заявила на Intel Developer Forum, что сегодняшние микросхемы памяти способны работать в режиме DDR4-2933, однако уже в следующем году они смогут работать на 9 % быстрее.
Перспективный план развитися микросхем и модулей памяти DDR4
Что более важно, во второй половине следующего года должны появиться первые микросхемы DDR4 ёмкостью 16 Гбит. Это откроет двери для создания не только относительно недорогих 16- и 32-Гбайт модулей памяти, но и для использования четырёхслойных сборок из таких микросхем для создания 256-Гбайт модулей типа RDIMM/LRDIMM для серверов. Трудно сказать, какова будет скорость передачи данных у микросхем ёмкостью 16 Гбит, однако принимая во внимание официальную поддержку DDR4-2400 процессорами Intel Xeon E5 v4 и Intel Core i7 Extreme 6000-серии, очевидно, что новые микросхемы точно не будут медленнее.
Примечательно, что благодаря наличию массово выпускаемых микросхем памяти DDR4-3200 и внушительному частотному потенциалу у абсолютного большинства современных чипов DDR4, Intel решила официально поддерживать модули памяти DDR4-2400 процессорами поколения Kaby Lake. Таким образом, системы на базе Intel Core 7000-серии смогут несколько увеличить производительность в задачах общего назначения, а также, что более важно для клиентских ПК, в графических приложениях, чувствительных к пропускной способности памяти. Тем не менее, ряд специализированных платформ, вроде микропроцессоров со сверхнизким энергопотреблением или ценой, продолжат использовать DDR3L и LPDDR3 в ближайшее время.
Преимущества DDR4, DDR3L и LPDDR3
В Intel ожидают, что разработка базового стандарта DDR5 (на IDF было озвучено именно это название) завершится уже к концу 2016 года, а в производство новый тип памяти пойдёт ориентировочно в 2020 году. В прошлом году компания Samsung уже обсуждала возможности преемника DDR4 и при этом упомянула не только скорость передачи данных в 6400 Мтрансферов/с и ёмкость микросхем в 32 Гбита, но и возможные архитектурные ограничения сегодняшних интерфейсов модулей памяти. К чему в итоге пришли разработчики стандарта DDR5, мы можем узнать совсем скоро, при условии, что JEDEC примет и опубликует хотя бы черновой вариант стандарта DDR5 в конце этого года.
Источник
|
