Компания Samsung Electronics объявила об организации массового производства модулей оперативной памяти нового поколения для будущих флагманских смартфонов и фаблетов.
Речь идёт об изделиях LPDDR4X (Low-Power Double Data Rate 4X) ёмкостью 12 Гбайт. Они объединяют шесть 16-гигабитных чипов в единой упаковке. При производстве применяется технология 10-нанометрового класса (1y-нм) второго поколения.
Отмечается, что толщина модулей составляет всего 1,1 миллиметра. Это позволит оптимизировать внутреннюю конструкцию сотовых аппаратов, высвободив, скажем, больше места для аккумуляторной батареи.
Samsung заявляет, что наличие 12 Гбайт оперативной памяти в смартфонах откроет новые возможности. Такие аппараты смогут использовать более пяти камер, передовые средства искусственного интеллекта, большие экраны высокого разрешения, сервисы связи пятого поколения (5G) и пр.
Добавим, что совсем недавно южнокорейский гигант представил флеш-накопители eUFS 3.0 ёмкостью 512 Гбайт для смартфонов верхней ценовой категории. Эти изделия обеспечивают скорость последовательного чтения информации до 2100 Мбайт/с. Во второй половине текущего года планируется начать серийное производство модулей eUFS 3.0 вместимостью 1 Тбайт.
Источник
|
