Стартап-компания Crossbar заявила о разработке собственной версии
энергонезависимой памяти RRAM (resistive random-access memory). По
утверждению разработчиков, память нового поколения позволит хранить до 1
Тбайт данных в микросхеме площадью 200 мм2.
Из важных достижений Crossbar стоит отметить создание работающего
массива RRAM-памяти на коммерческой фабрике, что компания назвала важной
вехой в развитии. По сути, это первая фаза на пути к серийному
производству. Технология Crossbar предусматривает простую трёхслойную
структуру, которая позволяет создавать 3D-чипы ёмкостью несколько
терабайт. Из достоинств своей разработки компания также указывает на
совместимость с КМОП-технологиями производства.
По утверждению разработчиков, их память в 20 раз выигрывает по
производительности энергоэффективности по сравнению с современными
микросхемами NAND. При этом габариты чипа компактнее в два раза. По
оценкам аналитической компании Webfeet Research, к 2016 году оборот
рынка энергонезависимой памяти составит $48,4 млрд.
Источник
|
