Японский производитель памяти Elpida Memory объявил
об успешном начале производства коммерческих образцов микросхем DRAM,
выполненных по 25-нм технологическому процессу. В настоящее время
компания готова осуществлять поставки чипов типа DDR3 SDRAM ёмкостью 2
Гбит, к концу 2011 года ассортимент продукции Elpida пополнится
аналогичными микросхемами удвоенного объёма. 25-нм продукция найдёт своё
применение не только в комплектующих для ПК и серверов, но и в
стремительно набирающих популярность планшетных компьютерах, смартфонах и
другой потребительской электронике. Технические характеристики
микросхем выглядят следующим образом:
Обозначение |
EDJ2104BFBG / EDJ2108BFBG |
Технологический процесс |
25-нм КМОП |
Плотность записи на чип |
2 Гбит |
Ширина шины данных |
x4-бит / x8-бит |
Скорость передачи данных |
1866 Мбит/с и выше |
Рабочее напряжение |
1.5 вольт, 1.35 вольт |
Диапазон рабочих температур |
от 0°C до 95°C |
Переход на новый техпроцесс позволит снизить энергопотребление
модулей памяти (на 15% в режиме нагрузки и до 20% в режиме ожидания) и
повысить быстродействие в сравнении с 30-нм продуктами предыдущего
поколения производства Elpida.
Источник
|