Фирма Elpida, являющаяся третьим в мире по величине производителем
оперативной памяти, создала реально работающий прототип микросхемы
резистивной памяти (ReRAM), о чём появилась заметка на сайте
компании. Вкратце напомним, что работа данного типа памяти основывается
на эффекте изменения сопротивления мемристоров - особых элементов в
микроэлектронике. Память ReRam является быстрой, устойчивой к
многочисленным циклам перезаписи и энергоэффективной. По всем своим
характеристикам она смотрится преимущественнее, чем современная
Flash-память; срок её безотказной работы дольше, примерно, в 10 раз, а
скорость записи приближается к DRAM.
Прототип микросхемы ReRam был создан по 50 нм техпроцессу, и
суммарная ёмкость массива её запоминающих ячеек составила 64 мегабита.
Партнером Elpida в разработке выступила организация New Energy and
Industrial Technology Development Organization (NEDO). Кроме того, с
недавнего времени к работе присоединились компания Sharp, Национальный
институт науки и технологий Японии (AIST) и Университет Токио. В 2013
году совместными усилиями планируется создать гигабитную микросхему
ReRam, сделанную по 30 нм технологическому процессу. Напоследок добавим,
что корпорации Toshiba и Samsung так же ведут работу в этом
направлении.
Источник
|
