Компания Elpida объявила
о создании микросхем памяти DRAM типа LPDDR3 для мобильных устройств с
плотностью 4 Гбит на микросхему и производимых по 30 нм технологическому
процессу. Микросхемы памяти выполняются в корпусе для поверхностного
монтажа FBGA и работают при напряжении питания 1.2 вольт.
Скорость передачи данных в расчёте на один контакт равняется 1600
Мбит/с, общая пропускная способность запоминающего устройства
составляет 6.4 Гбайт/с, что в два раза превосходит возможности LPDDR2.
Таким образом, при работе на сопоставимых скоростях, LPDDR3 потребляет
примерно на 25% меньше электроэнергии в сравнении с микросхемами
предыдущего поколения. Предполагается, что в мобильных устройствах будет
использоваться по две микросхемы LPDDR3, таким образом, совокупная
пропускная способность оперативной памяти будет достигать 12.8 Гбайт/с.
Первые образцы микросхем будут выпущены до конца этого года. Массовое
производство, в зависимости от интереса со стороны производителей
портативной электроники, стартует во второй половине будущего года.
Первые устройства, использующие эту память, появятся, по всей видимости,
только к началу 2013 года.
Источник
|
