Не далее как в конце апреля компания Samsung выпустила пресс-релиз, в котором объявила
о начале производства LPDDR3 чипов оперативной памяти, выполненных по
20-нм техпроцессу. Несмотря на то, что такая ОЗУ действительно быстрее и
потребляет меньше энергии, объём памяти на одном чипе остался прежним -
0,5 ГБ (гигабайта). При возможностях современных коммуникаторов,
производители комбинируют максимум 4 таких чипа на системной плате
устройства, что даёт объём ОЗУ 2 ГБ, но вы ведь не думали, что такое
положение дел сохранится надолго?
Компания SK Hynix официально объявила о
том, что собирается выпустить такие же LPDDR3 чипы на 20-нм техпроцессе,
но объёмом уже 8 Гб или, в более привычных единицах измерения 1 ГБ.
Нетрудно подсчитать, что при использовании 4 таких модулей на одной
плате, можно достичь объёма памяти в 4 ГБ. И это действительно так:
производитель обещает, что первые топовые смартфоны с 4 ГБ оперативной
памяти появятся уже в конце этого года.
Новые чипы будут способны передавать
данные на скорости 2133 мегабит в секунду на один контакт, что в целом
позволяет передать за 1 секунду 7,5 гигабайт в одноканальном режиме и 17
гигабайт в двухканальном. При этом работает ОЗУ на сверхнизком
напряжении - 1,2 вольта, так что опасаться за время автономной работы
точно не стоит.
И всё же, интересно, как скоро мы увидим
смартфоны с 8 ГБ оперативной памяти? А в том, что, рано или поздно, так
и будет мы уверены почти полностью, ведь наращивание гигагерц и
гигабайт - лишь вопрос времени.
Источник
|
