Компании IBM и Globalfoundries начнут совместное производство микросхем
нового поколения на заводах, расположенных в штате Нью-Йорк. Согласно
условиям, о которых поведает официальный пресс-релиз,
Globalfoundries прибегнет к производственным мощностям завода Fab 8,
где массовое производство полупроводниковых пластин развернётся во
второй половине 2012 года. IBM владеет собственной фабрикой в Восточном
Фишкилле, где уже приступили к выпуску пробных образцов
300-миллиметровых пластин. Fab 8 в будущем освоит выпуск изделий по
заказам AMD.
Микросхемы будут выпускаться в соответствии с технологией
"кремний на изоляторе" (англ. Silicon on insulator, SOI) с применением
металлических затворов и материалов с высоким значением диэлектрической
постоянной (HKMG). Предполагается, что компаниям удастся наладить
производство многоядерных полупроводниковых устройств с высокой
производительностью.
Изначально сотрудничество предполагает использование 32 нм
технологического процесса, но в будущем компании собираются расширить
партнёрство с целью освоения 28 нм производственных норм. Также нужно
отметить, что IBM и Globalfoundries собираются использовать технологию
eDRAM (embedded dynamic random access memory), которая допускает
расположение кристаллов оперативной памяти непосредственно на
центральном процессоре.
Источник
|
