Компания Micron в сотрудничестве с другими видными игроками в отрасли
занимается развитием и продвижением памяти Hybrid Memory Cube, которая
предполагает "трёхмерное" строение и значительное увеличение
быстродействия в сравнении с обычными модулями DDR3. Но в секретных
лабораториях Micron ведутся непрерывные работы по совершенствованию
"классической" памяти, и можно ожидать появления "инновационных"
микросхем в составе привычных для взгляда модулей ОЗУ.
Инженеры Micron совместно с сотрудниками организации JEDEC занимаются вопросами стандартизации нового интерфейса DRAM, а также новой технологии компоновки микросхем, которая получила название "трёхмерная укладка" (англ. "three-dimensional stacking") или 3DS.
Идея 3DS заключается в создании микросхем, состоящих из
нескольких кристаллов DRAM, в иерархии которых выделен ведущий
("master") и ведомые ("slave"), при этом доступ к внешней шине и
контроллеру памяти есть только у ведущего кристалла. Сочетание
преимуществ, которые обеспечивает такой подход, даёт улучшение
показателей таймингов, увеличение пропускной способности и целостности
сигнала, при одновременном снижении энергопотребления и стоимости
модулей памяти.
Преимущества 3DS продемонстрированы на примере тестового стенда,
который основан на неизвестной модели процессора Intel с архитектурой
Sandy Bridge и оснащается 32 Гбайт памяти в модулях LRDIMM, которые
набраны из 36 микросхем ёмкостью 8 Гбит, каждая из которых, в свою
очередь, состоит из одного ведущего кристалла DRAM ёмкостью 4 Гбит и
одного ведомого кристалла аналогичного объёма. В работе стандартной
оперативной памяти во время чтения данных наблюдается "разрыв" при
переходе из одного ранга в другой, который влияет на общую пропускную
способность шины. В случае с 3DS, ОЗУ может работать с разными рангами
"без задержек", что наглядно показано на видео:
В завершении нужно отметить, что Micron с радостью ответит на любые вопросы о принципах работы своего изобретения.
Источник
|
