Комитет JEDEC сообщил о публикации обновлённого стандарта памяти с высокой пропускной способностью (HBM) — стали доступны чистовые спецификации стандарта HBM3. Главным изменением по сравнению с HBM прошлого поколения стало увеличение скорости обмена по каждому контакту шины данных с 3,2 Гбит/с до 6,4 Гбит/с. Для высокоёмких вычислений, включая обработку графики, это станет новым прорывом в будущее.
Источник изображения: SK hynix
С учётом вдвое возросшей скорости обмена по одному контакту, общая скорость на один модуль памяти HBM3 (на стек) будет достигать 819 Гбайт/с. Более того, это не предел возможностей HBM3. Современные решения сигнальных интерфейсов вполне допускают выйти за рамки 1 Тбайт/с для памяти HBM3. Массовыми такие решения вряд ли станут, но и Samsung, и SK Hynix готовы выпускать память HBM3 со скоростью обмена выше, чем предусмотрено стандартом JEDEC.
Количество каналов памяти также удвоено с 8 до 16, благодаря двум псевдоканалам на каждый канал. Более того, за счёт организации виртуальных каналов общее число каналов работы с памятью может быть увеличено до 32.
На момент публикации стандарта высота стеков HBM3 допускает выпуск памяти из 4, 8 и 12 слоёв. В будущем будет возможно производство модулей HBM3 из 16 слоёв памяти в стеке. На каждый слой допускается кристалл памяти ёмкостью от 8 до 32 Гбит (1–4 Гбайт). Тем самым минимальная ёмкость одного стека HBM3 составит 4 Гбайт, а максимальная — 48 Гбайт (в будущем 64 Гбайт).
Наконец, рабочее напряжение памяти HBM3 снижено до 1,1 В, как и уменьшено сигнальное напряжение на интерфейсе хоста (до 0,4 В). Это означает, что энергоэффективность работы памяти HBM3 будет выше, чем у памяти HBM2 при прочих выгодах, включая в два раза возросшую скорость передачи данных.
«С улучшенными характеристиками производительности и надёжности HBM3 позволит создать новые решения, требующие огромной пропускной способности и ёмкости памяти», — сказал Барри Вагнер (Barry Wagner), директор по техническому маркетингу в NVIDIA и председатель подкомитета JEDEC HBM.
