Информационный блог Engadget
сообщил своим посетителям о результатах совместных исследований
специалистов из Университета Пенсильвании и представителей компании IQE,
которая специализируется на производстве полупроводников. Плодом их
труда стала разработка транзистора, который отличается пониженным на 70%
энергопотреблением, если проводить сравнение с повсеместно
распространёнными транзисторами MOSFET (metal-oxide semiconductor
field-effect transistors).
Переключение такого транзистора может происходить при напряжении в
300 милливольт и даже ниже. Это может обеспечить существенную экономию
электричества, если задействовать данную технологию в производстве
микроэлектроники. Достичь таких результатов удалось благодаря применению
двух разных полупроводниковых материалов на основе арсенида галлия.
Согласно информации, опубликованной на сайте Physorg,
первые микросхемы, в которых будут использоваться данные транзисторы,
появятся при переходе полупроводниковой индустрии на 7нм техпроцесс.
Источник
|
