По сообщению компании Samsung Electronics, ее специалисты завершили
разработку микросхем памяти типа DRAM плотностью 1 Гбит, предназначенной
для мобильных устройств, которая оснащена «широким интерфейсом
ввода-вывода» (wide I/O mobile DRAM). Память рассчитана на выпуск с
применением технологии 50-нанометрового класса. Она предназначена для
таких устройств, как смартфоны и планшеты.
Преимуществом расширенной шины памяти является увеличенная
пропускная способность. По оценке производителя, она равна 12,8 ГБ/с,
что в восемь раз превосходит возможности мобильной памяти DDR DRAM (1,6
ГБ/с). Примечательно, что в сравнении «с обычным порошком»,
энергопотребление снижено на 87%. По пропускной способности новая память
вчетверо превосходит память LPDDR2 DRAM (примерно 3,2 ГБ/с).
Для ввода-вывода используется 512 выводов, а не 32 как ранее.
Общее количество выводов, включая линии для передачи управляющих
сигналов и управления питанием примерно равно 1200.
В 2013 году южнокорейский производитель намерен освоить выпуск новой памяти плотностью 4 Гбит по нормам 20-нанометрового класса.
Источник
|
