Прогресс в микроэлектронике идёт очень быстро, и с каждым годом
количество транзисторов в микросхемах растёт, а техпроцесс их
изготовления становится всё тоньше. Не секрет, что роль кремния, которую
он длительное время играл в качестве основного сырья для
полупроводников, приближается к своему логическому завершению. Это
связано с тем, что толщина слоя кремния не может быть менее 2 нм, и
дальнейшая миниатюризация приведёт к химической реакции, вызывающей
нарушение электрических свойств. Вполне логично, что идёт активный поиск
кандидатур для его замены.
После открытия преимуществ, которые может дать применение молибденита
(сульфида молибдена) в сфере электроники, исследователи из
Политехнического университета Лозанны сделали следующий шаг к
практической реализации своих идей. Специалисты из Лаборатории
наноструктур и наноэлектроники создали прототип микросхемы из
молибденита, которая продемонстрировала его существенное превосходство
над кремнием. Молибденитовые транзисторы показали отличную стабильность
работы при толщине слоя материала всего в три атома. Такая толщина даёт
трёхкратное итоговое уменьшение полупроводника в размерах, в сравнении с
кремниевым аналогом. Кроме того, процессоры из молибденита потребляют
меньше электричества, и, в силу особенностей его структуры, являются
пластичными.
Сульфид молибдена достаточно часто встречается в природе, и
производство полупроводников на его основе не должно быть дорогим. В
статье, опубликованном на сайте EurekAlert
упоминается, что по некоторым своими характеристикам такие
полупроводники не уступают графеновым, а их усиливающие свойства
позволят создавать электронику с очень сложной структурой. Остаётся
ждать, станет ли данный материал популярным и сможет ли занять место
кремния.
Источник
|
