Компания Crocus Technology, специализирующаяся на разработках области
магнитной памяти с произвольным доступом (MRAM), разработала
технологию, названную Magnetic Logic Unit (MLU). По сути, это развитие
технологии изменения состояния ячейки с использованием локального
нагрева (thermally assisted magnetic switching, TAS), позволяющее
реализовать средствами MRAM не только хранение информации, но и
логическую функцию.
Используя намагниченность так называемого опорного слоя, MLU
может работать в одном из трех режимов: NAND, NOR или XOR. В обычной
магнитной памяти режим задан жестко при изготовлении.
По словам разработчиков, области применения новой технологии
включают приложения хранения данных, средства связи, сетевую обработку,
автомобильную и промышленную электронику.
В приложениях, где необходима высокая плотность, MLU позволяет
создать «конфигурации, подобные NAND» с помощью магнитной памяти. Память
MLU NAND в два-четыре раза превышает по плотности обычную магнитную
память. В отличие от флэш-памяти, при этом обеспечивается полноценный
произвольный доступ.
Память MLU XOR, которую производитель называет Match-In-Place,
подходит, когда необходимо сравнение и шифрование данных. Она хорошо
подойдет для смарткарт, идентификационных карт, карт SIM и устройств с
поддержкой NFC, повышая устойчивость перечисленных устройств к взлому.
Match-In-Place реализует функции поиска и сравнения, необходимые в
роутерах. По сравнению со специализированными процессорами,
изготавливаемыми по технологии CMOS, реализация с помощью MLU XOR имеет
до 50 раз более высокую плотность. В ряде приложений может быть важно,
что MLU сохраняет работоспособность при температуре до 200°C.
Пока неизвестно, как скоро начнется серийный выпуск продукции, в
которой используется новая технология, и о каких объемах памяти идет
речь. Но, по мнению разработчиков, MLU во многих случаях сможет заменить
память типа SRAM, DRAM, NAND, NOR и OTP.
Источник
|