Не успели отзвучать фанфары по поводу открытия новой фабрики
по выпуску флэш-памяти, принадлежащей Toshiba и SanDisk, как появилось
сообщение о том, что Toshiba создает новое совместное предприятие, на
этот раз — с компанией Hynix Semiconductor.
Областью приложения совместных усилий японских и южнокорейских
специалистов станет разработка памяти типа MRAM (Magnetoresistive Random
Access Memory). Напомним, за этой аббревиатурой кроется память, принцип
работы которой построен на использовании магниторезистивного эффекта —
изменения электрического сопротивления материала в магнитном поле.
Память типа MRAM, как ожидается, заменит применяемую сейчас
память типа DRAM и флэш-память, поскольку она объединяет их сильные
стороны. Она характеризуется высоким быстродействием и возможностью
произвольного доступа, способностью хранить информацию в отсутствие
питания и большой долговечностью.
Когда разработка будет завершена, партнеры рассчитывают создать совместное производство по выпуску памяти типа MRAM.
Компания Toshiba ведет работы в области магниторезистивной памяти достаточно давно.
Источник
|
